Ievads pusvadītāju pielietojuma jomās

Pusvadītājus izmanto integrālajās shēmās, plaša patēriņa elektronikā, sakaru sistēmās, fotoelementu enerģijas ražošanā, apgaismojuma lietojumos, lieljaudas jaudas pārveidošanā un citās jomās.
Fotoelementu lietojumi
Pusvadītāju materiālu fotoelektriskais efekts ir saules bateriju darbības pamatprincips. Šajā posmā pusvadītāju materiālu fotoelementu izmantošana ir kļuvusi par aktuālu tēmu un šobrīd ir visstraujāk augošais un vislabāk attīstītais tīrās enerģijas tirgus pasaulē. Saules bateriju galvenais materiāls ir pusvadītāju materiāls. Galvenais kritērijs, lai novērtētu saules bateriju kvalitāti, ir fotoelektriskās konversijas koeficients. Jo augstāks ir fotoelektriskās konversijas ātrums, jo augstāka ir saules baterijas darba efektivitāte. Saskaņā ar dažādiem izmantotajiem pusvadītāju materiāliem saules baterijas tiek sadalītas kristāliskā silīcija saules baterijās, plānslāņa elementos un III-V saliktajos elementos.
Apgaismojuma lietojumprogrammas
LED ir pusvadītāju gaismas diode, kas veidota uz pusvadītāju tranzistora. Pusvadītāju gaismas avots, kas izmanto LED tehnoloģiju, ir maza izmēra, un to var iesaiņot plakaniski. Darbības laikā tas rada zemu siltumu, ir energotaupīgs un efektīvs, tam ir ilgs produkta kalpošanas laiks, ātrs reakcijas ātrums, zaļš un bez piesārņojuma, kā arī var Tas tika izstrādāts par vieglu, plānu un īsu produktu. Kad tas iznāca, tas ātri kļuva populārs un kļuva par jaunas paaudzes augstas kvalitātes apgaismojuma avotiem. Tagad to plaši izmanto mūsu dzīvē. Tam ir pielietojums dažādās jomās, piemēram, luksoforos, elektronisko izstrādājumu fona apgaismojuma avotos, gaismas avotos pilsētas nakts ainavas izdaiļošanai un iekštelpu apgaismojumam.
Lieljaudas jaudas pārveidošana
Maiņstrāvas un līdzstrāvas savstarpēja pārveidošana ir ļoti svarīga elektroierīču lietošanai un ir nepieciešama elektroierīču aizsardzība. Tam ir jāizmanto citas jaudas pārveidošanas ierīces. Silīcija karbīdam ir augsts pārrāvuma spriegums, plaša joslas atstarpe un augsta siltumvadītspēja. Tāpēc SiC pusvadītāju ierīces ir ļoti piemērotas lietošanai situācijās ar lielu jaudas blīvumu un pārslēgšanas frekvenci. Jaudas pārveidošanas ierīces ir viena no tām. Silīcija karbīda komponentu lieliskā veiktspēja augstā temperatūrā, augstā spiedienā un augstā frekvencē ir padarījusi tos plaši izmantotus dziļurbumu urbšanā, invertoros elektroenerģijas ražošanas ierīcēs, enerģijas pārveidotājos elektriskajos hibrīdtransportlīdzekļos, vieglā dzelzceļa vilcienu vilces jaudas pārveidošanā un citās jomās. Sakarā ar paša SiC priekšrocībām un pašreizējo nozares pieprasījumu pēc viegliem, augstas konversijas efektivitātes pusvadītāju materiāliem, SiC aizstās Si un kļūs par visplašāk izmantoto pusvadītāju materiālu.